НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
На главную >>


Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

Предложения в тексте с термином "Выражение"

ности можно аппроксимировать выражением /д^/0ехр(^д/^).

Из выражения (2.

/д определяют из выражения дТ q /о qI0 \ дТ )

При высоком уровне легирования, когда Л/Г ^р/, выражение (2.

Их можно формулировать текстуально, с помощью системы логических и математических выражений, графически и смешанным образом.

33) и все полученные с его помощью выражения становятся неверными.

Записывая выражение для р(х) и подставляя его в систему уравнений для двойного электрического слоя (2.

Подставив в выражение (2.

Из выражений (3.

Однако следует отметить, что учет асимметрии усложняет вычисление вероятности Р или суммарного процента брака к, так как при этом функция Ч*1 не имеет явного выражения.

С помощью этого метода может быть получено эмпирическое выражение для суммарного процента брака: *~1-П(1-*А), (1.

Выражение (1.

Кроме того, дополнительные ошибки в конечные результаты вносятся вследствие приближенности эмпирического выражения (1.

К аналитическим методам относится также метод разложения, основанный на выражении случайных аргументов xt через дискретные распределения вероятностей.

Из выражения (4.

Отметим, что расчет величины Л/0пТ по выражению (4.

Абсолютную погрешность выходного параметра Ау гибридной ИМС определяют дифференцированием выражения (4.

Следует отметить, что выражение (4.

В данном случае каждое значение avl определяется выражением, аналогичным (4.

При этом выражение (4.

В выражении (4.

Наличие хотя бы одного элемента ИМС с обратной направленностью коэффициента 'влияния приводит к уменьшению второго члена в выражении (4.

Поэтому, используя выражение (4.

Тогда с учетом того, что в схеме имеется хотя бы один k-й элемент с обратной направленностью коэффициента влияния среди п\ элементов, выражение (4.

Следовательно, используя выражения (4.

При расчете длины пленочного резистора, имеющего криволинейную форму, пользуются выражением /я fs

С помощью выражения (4.

Тогда для расчета толщины диэлектрика служит выражение

Варьируя соотношением А/В при S=/lB = const и используя выражения (4.

По выражениям (4.

С помощью выражения (4.

По выражению (4.

Площадь резистора в зависимости от точности его геометрии и исходных данных определяется выражениями: (4.

С учетом ks площадь подложки гибридной ИМС определяют из выражения

По данным расчета с помощью выражения (4.

Известно, что требования к качеству технологического процесса можно установить с помощью выражения где РБИС — процент выхода годных БИС; В — коэффициент пора-жаемости БИС*; d — плотность дефектов**; 5 — площадь, занимаемая БИС.

Как видно из выражения (5.

Подсчет по выражениям (5.

Мощность, потребляемая микросхемой от источников питания, определяется выражением " (6-5) где EJ — напряжение /-го источника питания; /,• — ток в соответствующем выводе схемы.

Выражения (6.

Выражение для интеграла /i запишем следующим образом: -К „ \ /1=(1ехр( — /)оГи=Гехр( —2 Г — ofs; — 2 *\ zdz\du= ,} J \ J 8 J / о г/ \ о ,/кр / / "кр \" / 5 \ = ехр I —2 Г— dz I Гехр —2 Г zdz \du =

Однако вычислить фиктивную поверхностную концентрацию из этого выражения не удается, так как вследствие концентрационной зависимости коэффициента диффузии в высоколегированной области очень трудно установить точный аналитический вид зависимости D=D(N).

Если областям / и // соответствуют дискретные значения коэффициентов диффузии DI и L>2, то действительный примесный профиль аппроксимируется кривыми, описываемыми выражениями.

Выражение ддя фиктивной поверхностной концентрации запи-сыбаеТся в виде erfc

33) условий является выражение

Диффузионное распределение для бесконечно тонкого слоя можно определить из выражения (1.

Величину Q можно найти с помощью выражения для плотности потока диффундирующих атомов в процессе загонки: дх ,-о где D\ — коэффициент диффузии атомов примеси на стадии загонки; NSI — поверхностная концентрация атомов, диффундирующих на стадии загонки.

Из выражения (1.

Полученное выражение хорошо описывает действительный примесный профиль, если толщина диффузионного слоя после разгонки намного превышает толщину при загонке, т.

Из этого выражения следует, что поверхностная концентрация на стадии разгонки

Дифференцируя это выражение по параметру К, находим * dK откуда

Выражение (1.

Стоимость ИМС с учетом групповой технологии и сборки определяется выражением т / f ____ i / ^ПЛ I f~, =---- I---------Ь L.

С, или с учетом выражений (1.

Результаты исследований выражения (1.




Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru