НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
На главную >>


Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

Предложения в тексте с термином "Выполнение"

Для выполнения монтажа нижнюю поверхность подложки сначала покрывают золотой пленкой, наносимой вакуумным напылением перед операцией скрайбирования.

Основные задачи алгоритма отражают сущность обработки полезных информационных сообщений, для выполнения которой и предназначена проектируемая ИМС.

Вспомогательные задачи алгоритма обычно отражают дополнительные преобразования сигналов, которые необходимы для повышения качества выполнения основных задач.

В процессе выполнения этого этапа разработки топологии следует придерживаться следующих основных правил: все резисторы, подключенные одним выводом к источнику напряжения питания, расположить внутри одной изолированной области; для улучшения развязки между изолированными коллекторами транзисторных структур контакт к подложке расположить рядом с мощным транзистором; площади изолированных областей сделать минимальными.

Главный принцип построения топологии заключается в достижении максимальной плотности упаковки элементов, обеспечивающей максимальное использование площади подложки при выполнении всех конструктивных и технологических требований и ограничений.

49 с отдельным транзистором для подачи напряжения автоматической регулировки усиления весьма удобна для выполнения в виде полупроводниковой ИМС, так как характеристики диода и перехода эмиттер — база транзисторной структуры должны быть хорошо согласованы.

При выполнении трассировки необходимо руководствоваться следующими основными условиями: а) соединения, по которым будет протекать большой ток (вводы источников питания и на землю, а также входные и выходные выводы), необходимо выполнять в виде сравнительно широких полосок; б) все межэлементные соединения, кроме ввода источника питания, могут быть произвольными и определяться только удобством их расположения на поверхности подложки; в) в некоторых случаях под полоской соединительной металлизации допускается использование проводящего туннеля, который формируется в отдельной изолированной области; г) для уменьшения паразитной емкости между контактными выступами в подложке под каждым из них необходимо предусмотреть формирование изолирующей области.

При использовании КМДП-структур для выполнения некоторых схемных функций (например, в качестве нагрузочных транзисторов) это влияние удается полностью исключить.

2) сильно усложняется выполнение элементов с малыми допусками ,на отдельные электрические параметры;

Поэтому возможные значения примесных концентраций, используемых -при выполнении элементов, а также размеры и геометрические конфигурации различных локальных областей изменяются в очень широких пределах.

Процесс проектирования топологической структуры гибридных ИМС включает последовательное выполнение целого комплекса работ по расчету пленочных элементов и их компоновке вместе с навесными элементами на подложке заданных размеров.

При этом процесс проектирования сводится к выполнению четырех основных этапов:

При выполнении каждого из этих этапов необходимо придерживаться определенных принципов, позволяющих решать поставленную задачу оптимально и комплексно, начиная с первого этапа.

Поэтому очень важна правильная организация планировки топологической структуры при выполнении первого этапа проектирования.

Данные, полученные в результате выполнения первых двух этапов, являются исходной информацией для проектирования топологии ИМС.

При выполнении этого этапа на ЭВМ в первую очередь предъявляется требование к сокращению до минимума машинного времени.

Большинство из этих этапов являются взаимосвязанными, их выполнение требует совместного решения задач анализа, синтеза и оптимизации, что может быть достигнуто лишь при использовании автоматических или автоматизированных методов проектирования.

Весь процесс проектирования сопровождается большим числом электрических, технологических и конструктивных расчетов, необходимых для выполнения соответствующих этапов.

Практически выполнение всех этапов проектирования и изготовления БИС требует применения ЭВМ.

Выполнение —

Фронт волны распространяется по определенным правилам, в которые заложены условия выполнения межэлементных соединений в виде разрешенных и запрещенных возможных путей.

В зависимости от условий, накладываемых и подлежащих выполнению при трассировке, разработаны различные модификации волнового алгоритма.

Он включает: а) размещение элементов на подложке; б) выполнение внутрисхемных соединений; в) разложение общего вида топологической схемы на маски; г) вычерчивание масок, по которым в дальнейшем изготовляется комплект рабочих фотошаблонов.

выполнения условия

выполнения условия

Проверяют выполнение условия {FK}=?

Проверяют выполнение условия UAB^{FK}, т.

Распространенный метод оценки размещения элементов в процессе выполнения внутрисхемных соединений нельзя считать удовлетворительным, так как он является по существу методом «проб и ошибок» и не гарантирует ни получения решения вообще, ни тем более получения оптимального размещения.

В большинстве практических программ, разработанных для выполнения внутрисхемных соединений, используют различные модификации алгоритма Ли.

Поэтому одной из основных проблем при выполнении внутрисхемных соединений является создание высокоэффективных вычислительных средств.

По характеру выполнения электрических функций ИМС подразделяют на группы и виды и обозначают в соответствии с табл.

Цифровые (логические) ИМС предназначены для выполнения разнообразных логических функций, запоминания информации и ряда других операций и в совокупности обеспечивают возможность рационального построения арифметических, запоминающих и управляющих устройств ЭВМ.

Поскольку при выполнении операции ИЛИ ток утечки цепи сток -— исток всех входных транзисторов (за исключением одного) мал, параметр шили логической схемы может достигать 10 и выше.

Скорости нарастания и спада напряжения в пороговой области могут составить >1 В/не, что вызывает необходимость более тщательного выполнения межэлементных соединений, чем в обычных схемах ТТЛ.

Для выполнения основного требования идентичности параметров в диапазоне эксплуатационных воздействий и температур, предъявляемого к транзисторам, последние изготовляют на общей подложке как единый активный прибор.

Дифференциальный усилитель: а — пара транзисторов; б — простейшая схема; а — схема питания через транзисторную схему источника тока; г — полупроводниковая микросхема выполнение резистора с большим сопротивлением методами полупроводниковой технологии значительно увеличивает площадь подложки интегральной микросхемы и мощность рассеяния резистора.

Под операционным усилителем понимают усилитель электрических сигналов, предназначенный для выполнения различных операций над аналоговыми величинами при работе в схеме с глубокой отрицательной обратной связью.

В этом случае локальному объему твердого тела придаются такие свойства, которые требуются для выполнения данной функции, и промежуточный этап представления желаемой функции в виде эквивалентной электрической схемы не требуется.

В этом случае локальному объему твердого тела придаются такие свойства, которые требуются для выполнения данной функции, и промежуточный этап представления желаемой функции в виде эквивалентной электрической схемы не требуется.

И здесь выполнение заданных функций достигается топологией контактов.

Схема (а) и технологическое выполнение (б) оптронной пары: / — источник света; 2— иммерсионная среда; 3 — фотоприемник ключи и аналоговые Оптоэлектронные устройства, предназначенные для использования в системах функциональной обработки аналоговых сигналов.

Так, применение транзисторного эффекта для создания не только двухуровневых, но и многоуровневых микросхем может дать увеличение на 2—3 порядка степени функциональной интеграции логических интегральных микросхем вследствие уменьшения в схеме числа элементов, необходимых для выполнения функций.

Зпитимиильный слой ^Коллектор База Змиттер материалов, используемых для выполнения омических контактов и межэлементных соединений.

Методы изоляции интегрального транзистора: а — p-n-переходом; б — диэлектриком (поликристаллическим кремнием) с использованием товление полупроводниковых ИМС заключается в том, что на поверхности или в объеме полупроводниковой (кремниевой) подложки создаются активные и пассивные элементы и их соединения для выполнения определенной функции.

Учет этих особенностей в процессе ""проектирования позволяет получить приборы с параметрами, изменение которых ограничено некоторыми допустимыми пределами, атв обеспечивает -выполнение заданной схемотехнической функции.




Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru