НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
На главную >>


Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

Предложения в тексте с термином "Вскрытие"

Следующий этап технологического процесса изготовлений полупроводниковой ИМС —вскрытие с помощью фотолитографии окон под контакты.

Далее с помощью специального фотошаблона и ряда промежуточных операций, связанных с нанесением и проявлением фоторезиста, а также с локальным травлением окисла, производят подготовку подложки к операции загонки примеси р-тнпа (вскрытие окон под области истока и стока).

2) первый процесс фотолитографии для вскрытия в окисле окон под изолированную область;

1) второй процесс фотолитографии для вскрытия в областях истока и стока МДП-транзисторов с каналами р-типа окон под диффузию бора;

1) третий процесс фотолитографии для вскрытия окон в изолированных областях р-типа; -------^7 загонку фосфора при температуре 900° С в атмосфере кислорода и азота с использованием жидкого диффузана РОС1з;

1) четвертый ,и пятый процессы фотолитографии для вскрытия окон под затворы и контакты МДП-транзисторов с каналами р- и л-тинов;

Последовательность основных технологических операций изготовления КМДП-ИМС: а —' разделительная диффузия бора; б — второй процесс фотолитографии (вскрытие окон в окисном слое под истоки и стоки МДП-транзисторов с каналами п-типа); в — диффузия бора для формирования областей истока и стока; г-—окисление (термическое наращивание тонкого слоя окисла); д — напыление пленки алюминия на поверхность подложки; е — шестой процесс фотолитографии по пленке алюминия для создания разводки § 3.

4, производят вскрытие окна под диффузию, формирующую скрытый коллекторный «+-слой.

На следующем этапе технологического процесса снова используют метод фотолитографии для вскрытия окон в окисле SiO2 под диффузию, формирующую базу интегрального транзистора и резистора (рис.

Следующий этап технологического процесса — вскрытие окон в слое SiO2 под диффузию, формирующую эмиттер интегрального транзистора и нижнюю обкладку конденсатора.




Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru