НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
На главную >>


Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

Предложения в тексте с термином "Вси"

Строгое соблюдение изложенных принципов проектирования полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах позволяет в значительной степени решить наиболее важную задачу всей разработки, т.

Проектирование гибридных ИМС включает в себя расчет и конструирование пленочных элементов, а также разработку топологической структуры и конструкции всей микросхемы, что требует решения основных взаимосвязанных вопросов.

1) где ро — вероятность выхода годных плат, обусловленная общими для всей подложки факторами (р0 от числа элементов не зависит).

Из всей совокупности полученных при моделировании значений Л/ОПт выбирают наиболее приемлемое с учетом функционально-узлового принципа.

Поэтому дисперсию ац геометрического или физического параметра /-го элемента в t'-м комплексе можно представить суммой дисперсии этого параметра в пределах одной подложки ацп относительно его среднего значения на каждой отдельной подложке и дисперсии средних значений этого параметра на подложках всей партии ацср:°/;=ai7/!

Основным комплектом конструкторской документации на гибридную ИМС называется совокупность графических и текстовых сведений, относящихся ко всей ИМС.

Например, если БИС состоит из 150 быстродействующих схем с потребляемой мощностью 50 мВт каждая, то ко всей системе необходимо подвести ток порядка 2,5 А, что при малой геометрии пленочных проводников связано с большими трудностями.

Поэтому разработка и проектирование БИС должны быть связаны с проектированием всей системы и использовать последние достижения проектирования и технологии ИМС для получения оптимальной функциональной и конструктивно-технологической структуры БИС.

Из всей совокупности линейных ИМС наибольшее распространение получили дифференциальные, операционные и импульсные усилители.

Для обеспечения стабильности параметров микросхемы диэлектрическая пронициаемость материала подложки не должна зависеть от частоты и температуры; толщина подложки должна быть постоянной по всей площади.

Эго позволило экспериментально оптимизировать размеры коаксиально-мик-рополоскового перехода; в результате КСВН всей конструкции составил 1,15 в полосе частот 8—12 ГГц.

Если предположить, что толщина h диффузионного слоя мала и по всей его глубине концентрация продиффундировавших атомав остается постоянной, 'то начальное условие для (второй стадии процесса запишется в виде




Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru