НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
На главную >>


Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

Предложения в тексте с термином "Воздействие"

воздействия обоих указанных факторов, вокруг контактных окон в двуокиси кремния обычно оставляют зазор размером 5—6,5 мкм.

Если входной каскад является дифференциальным, то транзисторы этого каскада следует размещать так, чтобы тепловое поле выходного каскада оказывало минимальное воздействие на параметры транзистора входного каскада.

Он лучше выдерживает вредные воздействия ядерной радиации, поскольку его работа мало зависит от времени жизни подвижных носителей заряда.

Состояния, расположенные в слое двуокиси кремния, чрезвычайно чувствительны к воздействию окружающей среды (влага, температурный градиент и др.

Состояния, расположенные на границе раздела кремний — двуокись кремния, менее чувствительны к воздействию окружающей среды и зависят от качества обработки поверхности подложки и процесса выращивания окисла.

Принцип действия этих приборов основан на хранении заряда неосновных носителей в потенциальных ямах, возникающих вблизи поверхности полупроводника под воздействием внешнего электрического поля.

Под истоком возникает потенциальная яма, содержащая поверхностный заряд, причем дырки, попавшие в эту область под воздействием электрического поля, притягиваются к поверхности подложки и локализуются в узком инверсном слое.

При третьем способе происходит накопление заряда неосновных носителей под воздействием светового импульса.

Высокие изоляционные свойства диэлектрического слоя должны поддерживаться в течение длительного времени, слой должен быть стойким к воздействиям внешней среды.

Функционально-интегрированный элемент с транзисторной цепью питания: а — электрическая схема; б — топология; в — поперечный разрез размер кристалла; работоспособность базовых элементов в составе БИС в диапазоне изменяющихся эксплуатационных воздействий.

Аналогично на этапе ПСхЭ с помощью программы анализа схем (ПАЭС) оценивают наиболее критичные параметры электрической схемы при воздействии на нее дестабилизирующих производственных и эксплуатационных факторов.

К воздействию помех наиболее чувствительны микросхемы,.

Для выполнения основного требования идентичности параметров в диапазоне эксплуатационных воздействий и температур, предъявляемого к транзисторам, последние изготовляют на общей подложке как единый активный прибор.

Поскольку отношение сопротивлений коллекторных резисторов должно быть постоянным в диапазоне температур и эксплуатационных воздействий, монолитный вариант этой схемы является базой для многочисленных разработок ИМС в виде усилителей с дифференциальными входами.

Наиболее распространенным является модульное конструирование СВЧ-ИМС, обеспечивающее электромагнитное экранирование, механическую прочность и защиту от воздействий окружающей среды.

К этим переходам предъявляются следующие требования: широкополосность; низкий КСВН; минимальные величины неоднородностей; высокая воспроизводимость характеристик; малые потери; легкость соединения; устойчивость к механическим воздействиям; малые габариты; простота изготовления и низкая стоимость.

Обусловленная этим высокая чувствительность к внешним воздействиям позволяет легко осуществлять ряд операций по управлению и преобразованию потоков информации в различных функциональных системах.

Наличие у фототранзистора оптического и электрического входов одновременно позволяет создать смещение, необходимое для работы на линейном участке энергетической характеристики, а также компенсировать внешние воздействия.

Когда через время, определяемое скоростью звука (значительно меньшей скорости распространения электромагнитных волн), акустическое колебание достигает выходного преобразователя, на нем под воздействием акустического сжатия возникает э.

Поверхностные волны обладают всеми свойствами объемных волн, доступны для воздействия на всем пути их распространения вдоль линии, а технология изготовления ультразвуковых линий с поверхностными волнами совместима с технологией изготовления интегральных микросхем.

Возникает оно прежде всего из-за воздействия внешнего поля на намагниченность, а не непосредственно на носителе заряда, как в обычных полупроводниках.

Имеются сообщения о наблюдении изменений магнитной проницаемости и направления оси анизотропии в некоторых магнитных полупроводниках под воздействием света.

Наиболее распространенным из этих приборов является криотрон, представляющий собой переключающий криогенный элемент, основанный на свойстве сверхпроводников скачком менять свою проводимость под воздействием критического магнитного поля.

Основным перспективным направлением развития технологии является непосредственное формирование функциональных элементов микросхем при воздействии различных видов энергии, т.

По мере совершенствования технологии с применением управляемых энергетических пучков и повышения прецизионности процессов появляется принципиальная возможность перехода к следующему этапу развития технологии, в которой элементы микросхем формируются (без применения шаблонов и защитных масок) при непосредственном локальном и селективном воздействии энергетических пучков на исходные материалы изделия.

Перспективными для осуществления прецизионных процессов с локальным воздействием на материал являются направленные и ненаправленные потоки ионов различных материалов.




Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru