НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА
На главную >>


Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

Предложения в тексте с термином "Вентили"

Минимальная задержка на вентиль, 5—100 10—50 10-30 не/вентиль / Потребляемая мощность на вентиль, мкВт: на частоте 10 МГц 1000 0,01 50 на частоте 5 МГц 5000 500 200 мых в последнее время схем с инжекционным питанием практически одинаковы.

Задача упрощается, если в качестве критерия сравнения использовать коэффициент качественного показателя базового элемента k = n°/F, где п° — число элементарных вентилей или других схем, приходящихся на единицу площади кристалла.

Однако в таких микросхемах на МДП-трапзнсторах р-тппа значительно возрастает потребляемая мощность, которая достигает (1 -10) мВт/вентиль.

Отличительная особенность этих схем — низкая потребляемая мощность: 1—5 мкВт/вентиль в статическом режиме и 50—400 мкВт/вентиль в динамическом режиме (на порядок ниже, чем в схемах на транзисторах одного типа электропроводности).

Это дает возможность получить цифровые ИМС, имеющие время задержки 0,65 не, мощность рассеяния 20 мВт/вентиль при предельной частоте транзистора /пред > 2 ГГц и емкости Скв> >0,2 >пФ.

Схемы ТТЛ с диодами Шоттки имеют время задержки 3 и 5 не/вентиль при емкости нагрузки соответственно 15 и 50 пФ в зависимости от температуры и напряжения питания (рис.

Например, управляющая логическая схема, содержащая 980 вентилей, размещается на кристалле размером 4X4 мм, а ПЗУ емкостью 1536 бит, содержащее около 1000 вентилей, имеет размер кристалла 3X4 мм.

Микросхемы с инжекционным питанием характеризуются следующими важными преимуществами: а) позволяют получить высокую степень интеграции на кристалле (в перспективе до 1000—3000 вентилей или 10000 бит памяти); б) обладают малым значением произведения мощности па время задержки (до 0,1 пДж); в) имеют высокую относительную помехоустойчивость и могут работать в широком диапазоне быстродействия и 'потребляемых мощностей.

Одним из перспективных -направлений изготовления биполярных БИС является использование в mix в качестве основного вентиля схемы на эмиттерных повторителях (ЭПЛ).

Достижимым считается размещение на кристалле размером 10x10 мм до 25000 логических вентилей (12?

4 — тонкопленочный проводник ЩЬЮ ЭТИХ ЛИНИИ КОНСТруИрОВЗТЬ гиромагнитные элементы, например вентили.




Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru