НЕФТЬ-ГАЗ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

Теперь на нашем сайте можно за 5 минут создать свежий реферат или доклад

Скачать книгу целиком можно на сайте: www.nglib.ru.

<< Полупроводники <<

Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы

Скачать книгу здесь
Автор: Тугов Н.М.
Название: Полупроводниковые приборы
Год издания: 1990
УДК: 621.382.2
Число страниц: 576
Содержание книги:
Предисловие
Обозначения основных величин и параметров
Введение. Общие вопросы применения полупроводниковых приборов
Глава первая. Основы физики полупроводников и электронно-дырочных переходов. Полупроводниковые диоды
1.1. Основы физики полупроводников
1.1.1. Основные свойства полупроводников
1.1.2. Проводимость полупроводников
1.1.3. Основная система уравнений
1.2. Переходы металлполупроводник
1.2.1. Высота потенциального барьера
1.2.2. Вольт-амперная характеристика перехода металлполупроводник (диода Шоттки
1.2.3. Омические переходы
1.3. Диоды на основе электронно-дырочных переходов
1.3.1 Энергетическая диаграмма р-п перехода. Контактная разность потенциалов
1.3.2. Толщина области пространственного заряда и барьерная емкость резкого р-п перехода
1.3.3. Толщина области пространственного заряда и барьерная емкость плавных р-п переходов
1.3.4. Вольт-амперная характеристика диода на основе р-п перехода при низком уровне инжекции
1.3.5. Вольт-амперная характеристика диода на основе р+-п-п+ структуры в области больших токов
1.4.2. Выпрямительные диоды
1.4.3. Импульсные диоды
1.4.4. Стабилитроны
1.4.5. Диоды Шоттки
Глава вторая. Биполярные транзисторы
2.1.2. Классификация биполярных транзисторов
2.1.3 Краткие сведения по технологии изготовления транзисторов
2.2. Основы физики биполярных транзисторов
2.2.1. Основные допущения идеализированной теории биполярных транзисторов
2.2.2. Концентрация и токи неосновных носителей заряда в базе транзистора
2.2.3. Вывод уравнений ВАХ транзистора при низком уровне инжекции
2.24. Коэффициенты передачи тока при низком уровне инжекции
2.2.5. Особенности работы транзистора в режиме больших плотностей токов
2.2.7. Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции
2.2.8. Физические процессы в дрейфовых транзисторах при больших плотностях тока
2.2.9. Неодномерные процессы в транзисторе. Сопротивление базы транзистора
2.2.10. Статические характеристики транзистора
2.2.11. Переходные процессы в транзисторе
2.3.1. Система параметров транзисторов
2.3.2. Мощные транзисторы
Глава третья. Тиристоры
3.2.1. Уравнение выходной ВАХ тиристора
3.2.4. Статические параметры тиристора
3.3. Переходные процессы в тиристорах
3.3.1. Динамические параметры тиристоров
3.3.2. Переходный процесс включения тиристора током управления при малых анодных токах
3.3.3. Переходный процесс включения тиристора током управления при больших анодных токах
3.3.4. Переходный процесс включения тиристора по аноду (эффект du/dt
3.3.5. Переходный процесс выключения тиристора
3.4. Построение цепи управления тиристоров
3.4.1. Построение цепи управления в статических режимах эксплуатации
3.4.3. Параметры импульса управления в импульсных режимах эксплуатации
3.4.4. Помехоустойчивость тиристоров
3.5. Симметричные тиристоры (симисторы
3.5.1. Структура симистора
3.52 Выходная ВАХ симистора
3.5.3. Динамические свойства симисторов
3.5.4. Особенности применения симисторов
3.6. Запираемые тиристоры
3.6 1. Физические процессы при выключении
3.6.2. Анализ переходного процесса выключения
3.6.3 Ограничения в применении
3.6.4. Построение цепи управления
3.7. Тиристоры-диоды
4.1. Классификация и система обозначений полевых полупроводниковых приборов
4.1.1. Классификация и основные особенности
4.1.2. Система обозначений полевых транзисторов
4.2. МДП-структура с индуцированным каналом
4.2.1. Режим обеднения МДП-структуры
4.2.2. Режим инверсии МДП-структуры
4.2.3. Емкость МДП-структуры
4.2.4. МДП-структура как управляющий элемент полевого прибора
4.3. МДП-транзистор с индуцированным каналом
4.3.1. Конструкция и принцип действия
4.3.2. Выходные ВАХ МДП-транзистора
4.3.3. Уравнение выходной ВАХ МДП-транзистора
4.3.4. Проходные ВАХ МДП-транзистора
4.3.5. Влияние подложки
4.4. Параметры и характеристики МДП-транзистора
4.4.1. Параметры и характеристики МДП-транзистора в усилительном режиме
4.5.1. Структура и основные особенности
4.5.2. Принцип действия
4.5.3. Вольт-амперные характеристики
4.5.4. Параметры и режимы эксплуатации
4.6. Мощные полевые транзисторы
4.6.1. Мощные МДП-транзисторы
4.6.2. Физические основы эксплуатации мощных МДП-тран-зисторов в ключевом режиме
4.6.3. Транзисторы со статической индукцией
4.6.4. Физические основы эксплуатации мощных полевых транзисторов в усилительном режиме
4.7. Полевые приборы с зарядовой связью
4.7.1. Области применения
4.7 2. Режимы работы МДП-структуры в ПЗС
4.7.3 Вывод информации из ПЗС
5.1. Оптическое излучение
5.1.1. Энергетические и световые параметры
5.12. Когерентность оптического излучения
5.2. Некогерентные излучатели — излучающие диоды
5.2.2. Излучательная характеристика
5.2.3. Спектральная характеристика
5.2.4. Параметры светоизлучающих диодов (СИД
5.2.6. Излучающие диоды на основе гетероструктур
5.3.1. Лазерное усиление
5.3.2. Населенность и инверсия населенности
5.3.3 Генерация излучения
5.3.4. Порог генерирования лазера
5.3.5. Параметры и режимы работы
5.3.6. Полупроводниковые лазеры
5.3.7. Инжекционные лазеры 5.3.8. Лазеры с гетерогенной структурой
5.4. Фотоприемники
5.4.1. Внутренний фотоэффект в полупроводниках
5.4.2. Параметры и характеристики фотоприемников. Чувствительность
5.4.4. Характеристики и параметры фотодиода
5.4.5. Разновидности фотодиодов
5.4.6. Фотоприемники с внутренним усилением
5.5. Оптопары
5.5.1. Элементы оптопары
5.5.2. Входные и выходные параметры оптопар
5.5.4 Режимы эксплуатации диодных оптопар
5.5.6. Система обозначений оптопар
6.1. Модели полупроводниковых приборов в системе проектирования электронных устройств
6.1.1. Особенности моделирования полупроводниковых приборов
6.1.4. Особенности физико-топологических моделей полупроводниковых приборов
6.2. Модели полупроводниковых диодов
6.2.1. Статические модели диодов 6.2.2. Динамическая модель диода
6.2.3. Динамическая зарядоуправляемая модель
6.2.4. Определение параметров моделей диода
6.3. Модели биполярных транзисторов
6.3.1. Динамическая модель Эберса — Молла
6.3.2. Статические модели
6.3.3. Динамические зарядоуправляемые модели
6.3.5. Динамические модели малого сигнала
6.4. Модели полевых транзисторов
6.4.1. Динамическая модель большого сигнала
6.4.2. Динамическая модель малого сигнала
6.5. Модели тиристоров
6.5.1. Статические модели
6.6. Модели оптоэлектронных приборов
Глава седьмая Тепловые режимы работы полупроводниковых приборов
7.1. Основные особенности тепловых режимов полупроводниковых приборов
7.1.1. Теплообмен полупроводниковый прибор — окружающая среда
7.1.2. Электрогепловая аналогия
7.1.3. Тепловые модели и классификация тепловых режимов полупроводниковых приборов
7.2. Тепловой расчет в режиме постоянного тока
7.2.3. Тепловое сопротивление охладитель — среда
7.2.4. Выбор типа охлаждения и охладителя
7.2.5. Учет тепловой обратной связи
7.3.1. Импульсный периодический режим
7.3.3. Переходное тепловое сопротивление
7.4. Импульсные неодномерные тепловые режимы полупроводниковых приборов
7.4.1. Теплостойкость неодномерных режимов
7.4.2. Тепловой расчет без учета накопления тепла
7.4.3. Тепловой расчет с учетом накопления тепла
Глава восьмая. Последовательное и параллельное соединение полупроводниковых приборов
8.1. Особенности эксплуатации модулей с последовательным и параллельным соединением приборов
8.3. Выравнивание «распределения напряжения в переходном режиме
8.4. Особенности параллельного соединения полупроводниковых приборов
Приложение 1. Частотные свойства и характеристические частоты биполярного транзистора
Список сокращений
Предметный указатель
Глоссарий:
1 а б в г д е ж з и к л м н о п р с т у ф х ц ч ш э я
Смотреть страницы:
2 3 61 118 175 232 289 346 403 460 517 575 576
Полнотекстовый поиск по книге:
Введите слово или фразу для поиска:
Близкие по содержанию книги:
Электронные приборы
Электротехника, электропривод >> Электроника и радиотехника >> Электронные приборы
Электронные приборы
Электротехника, электропривод >> Электроника и радиотехника >> Электронные приборы
Электронные приборы
Электротехника, электропривод >> Электроника и радиотехника >> Электронные приборы

Просмотреть оригинальные страницы книг в формате djvu можно на сайте: www.nglib.ru.


Главный редактор проекта: Мавлютов Р.Р.
oglib@mail.ru